[发明专利]盖部件、处理气体扩散供给装置及基板处理装置有效
| 申请号： | 200910126356.9 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527258A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 石田寿文 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;C23C16/44;C23F4/00;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种确保基板等离子体处理的面内均匀性的基板处理装置用盖部件、处理气体扩散供给装置和基板处理装置。等离子体处理装置(10)具备收容晶片(W)的处理室(11)；向该处理室(11)扩散供给处理气体的喷淋头(13)；和用于将处理气体导入到喷淋头(13)的处理气体导入管(40)。喷淋头(13)具有形成于其内部且与收容在处理室(11)内的晶片(W)的表面平行地扩展的内部空间(38)；使该内部空间(38)与处理室(11)内连通的多个气体孔(42)；和盖部件(50)。处理气体导入管(40)通过开口部(39)与内部空间(38)连接，开口部(39)与多个气体供给孔(42)的一部分相对置，盖部件(50)包括配置在内部空间(38)且具有与开口部(39)相对置的面的底部(51)和将底部(51)支承在规定的位置的侧壁(52)。 | ||
| 搜索关键词： | 部件 处理 气体 扩散 供给 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置中的盖部件，在该基板处理装置中包括：收容基板的处理室；向该处理室内扩散供给处理气体的处理气体扩散供给装置；和用于将所述处理气体导入到所述处理气体扩散供给装置的至少一个处理气体导入管，所述处理气体扩散供给装置具有：形成于其内部且与收容在所述处理室内的基板的表面平行地扩展的内部空间，和使该内部空间与所述处理室内连通的多个气体孔，所述处理气体导入管经开口部与所述内部空间连接，所述开口部与所述多个气体孔的一部分相对置，所述盖部件覆盖所述开口部，其特征在于：所述盖部件包括：配置在所述内部空间且具有与所述开口部相对置的面的遮蔽部；和将所述遮蔽部支承于规定的位置的支承部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910126356.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
