[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法无效
申请号: | 200910126510.2 | 申请日: | 2009-03-10 |
公开(公告)号: | CN101834235A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 辛嘉芬 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种发光二极管封装结构的制作方法。首先,提供一承载器及一发光二极管芯片。发光二极管芯片配置于承载器上,且发光二极管芯片位于一凹穴内。接着,填入一第一封装胶体于凹穴内。第一封装胶体覆盖发光二极管芯片,且第一封装胶体内掺有一荧光材料。进行一第一烘烤步骤,以使第一封装胶体呈半固化态。之后,填入一第二封装胶体于凹穴内,且第二封装胶体覆盖于第一封装胶体上。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构的制作方法,包括:提供一承载器及一发光二极管芯片,该发光二极管芯片配置于该承载器上,且该发光二极管芯片位于一凹穴内;填入一第一封装胶体于该凹穴内,该第一封装胶体覆盖该发光二极管芯片,且该第一封装胶体内掺有一荧光材料;进行一第一烘烤步骤,以使该第一封装胶体呈半固化态;以及填入一第二封装胶体于该芯片容置空间内,且该第二封装胶体覆盖于该第一封装胶体上。
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