[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200910127749.1 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101546781A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 藤田和范;山下富生;米田阳树;笹田一弘 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，具有：外延层；包括在外延层上形成的沟道区域的本体层；以与本体层重叠的方式形成的源极层；包围源极层，而在外延层上形成的环状的栅极绝缘膜；隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极；包围本体层，而在外延层上以环状形成的漂移层；和与源极层对置，而在外延层表面形成的漏极层。本体层以在栅极宽度方向端部，其边界面与上述栅极绝缘膜的下面相接的方式进行设置。另外，栅极绝缘膜在与栅极宽度方向端部的本体层的边界面相接的至少一部分，具有膜厚比栅极长度方向的沟道区域上部更厚的厚膜部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其特征为，具有：半导体层；本体层，其包括在上述半导体层表面形成的沟道区域；第1杂质扩散区域，其以与上述本体层重叠的方式在上述半导体层表面形成；在上述半导体层上形成的栅极绝缘膜；栅极电极，其在包括上述沟道区域上的上述半导体层上，隔着上述栅极绝缘膜形成；在上述半导体层形成的漂移层；和第2杂质扩散区域，其与上述第1杂质扩散区域对置，并在上述半导体层表面形成，上述本体层，是以在栅极宽度方向端部、其边界面与上述栅极绝缘膜的下面相接的方式设置的，上述栅极绝缘膜，在与栅极宽度方向端部的上述本体层的边界面相接的至少一部分，具有膜厚比栅极长度方向的沟道区域上部更厚的厚膜部。
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