[发明专利]EL显示装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910128517.8 申请日: 2009-03-05
公开(公告)号: CN101527284A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 宫入秀和;小森茂树;伊佐敏行;梅崎敦司 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/15;H01L29/786;H01L21/027;G02F1/1362
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;王丹昕
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管,并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置:层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜;在其上形成第一抗蚀剂掩模;进行第一蚀刻形成薄膜叠层体;对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层;使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。
搜索关键词: el 显示装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种EL显示装置的制造方法,包括如下步骤:形成薄膜晶体管;其包括如下步骤:按顺序层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜及第二导电膜;在所述第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模;通过使用所述第一抗蚀剂掩模对所述第一绝缘膜、所述半导体膜、所述杂质半导体膜及所述第二导电膜进行第一蚀刻,至少使所述第一导电膜的表面露出;对所述第一导电膜的一部分进行第二蚀刻来形成栅电极层,以使所述栅电极层的宽度比所述绝缘膜的宽度窄;在所述第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模;以及通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的一部分进行第三蚀刻,形成源电极及漏电极层、源区及漏区层和半导体层,去除所述第二抗蚀剂掩模;形成第二绝缘膜来覆盖所述薄膜晶体管;在所述第二绝缘膜中形成开口来使所述源电极及漏电极层的一部分露出;在所述开口及所述第二绝缘膜上选择性地形成第一像素电极;在所述第一像素电极上形成EL层;以及在所述EL层上形成第二像素电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910128517.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top