[发明专利]EL显示装置的制造方法有效
申请号: | 200910128517.8 | 申请日: | 2009-03-05 |
公开(公告)号: | CN101527284A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 宫入秀和;小森茂树;伊佐敏行;梅崎敦司 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/15;H01L29/786;H01L21/027;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;王丹昕 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管,并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置:层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜;在其上形成第一抗蚀剂掩模;进行第一蚀刻形成薄膜叠层体;对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层;使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。 | ||
搜索关键词: | el 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种EL显示装置的制造方法,包括如下步骤:形成薄膜晶体管;其包括如下步骤:按顺序层叠第一导电膜、第一绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜及第二导电膜;在所述第二导电膜上形成第一抗蚀剂掩模;通过使用所述第一抗蚀剂掩模对所述第一绝缘膜、所述半导体膜、所述杂质半导体膜及所述第二导电膜进行第一蚀刻,至少使所述第一导电膜的表面露出;对所述第一导电膜的一部分进行第二蚀刻来形成栅电极层,以使所述栅电极层的宽度比所述绝缘膜的宽度窄;在所述第二导电膜上形成第二抗蚀剂掩模;以及通过使用所述第二抗蚀剂掩模对所述第二导电膜、所述杂质半导体膜及所述半导体膜的一部分进行第三蚀刻,形成源电极及漏电极层、源区及漏区层和半导体层,去除所述第二抗蚀剂掩模;形成第二绝缘膜来覆盖所述薄膜晶体管;在所述第二绝缘膜中形成开口来使所述源电极及漏电极层的一部分露出;在所述开口及所述第二绝缘膜上选择性地形成第一像素电极;在所述第一像素电极上形成EL层;以及在所述EL层上形成第二像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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