[发明专利]半导体集成电路无效
申请号: | 200910130249.3 | 申请日: | 2009-03-30 |
公开(公告)号: | CN101546750A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 寺山俊明 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;李 亚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体集成电路,即使在使用束布线的情况下,也不引起集成度的降低及芯片面积的增加,能够避免违反通孔密度的设计规则。电源布线包括:第一层电源束布线,交替地配置有单布线宽度且不同电位的VDD布线和VSS布线;第二层电源束布线,配置在第一层电源束布线的上层,并且交替地配置有单布线宽度且不同电位的VDD布线和VSS布线;以及多个通孔,配置在第一层电源束布线和第二层电源束布线立体交叉的区域,并且将第一层电源束布线和第二层电源束布线中相同电位的布线之间电连接。相邻的第一层电源束布线之间和第二层电源束布线之间具有用于形成信号布线的信号布线形成区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体集成电路,其特征在于,具有电源布线结构,在交替地配置有单布线宽度且不同电位的布线的束布线之间立体交叉的区域,各所述束布线中相同电位的布线之间经由通孔彼此电连接,在配置于同一层上的相邻的所述束布线之间,具有用于形成信号布线的信号布线形成区域。
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