[发明专利]相变化内存组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910130683.1 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101847687A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 庄仁吉;黄明政;李乾铭;林家佑;王敏智 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化内存组件及其制造方法。根据该相变化内存组件的制作方法，提供基底，其上形成有下电极，形成加热电极和介电层于下电极上，其中加热电极被介电层环绕，蚀刻加热电极，以于介电层中形成凹槽。沉积相变化材料于介电层上并填入凹槽中，研磨相变化材料，移除高于介电层表面的部分相变化层，形成局限于介电层的凹槽中的相变化层，形成上电极于相变化层和介电层上。根据本发明，组件的微缩可不受到黄光光刻极限的影响，因此可进一步微缩组件单元尺寸和提供较大的工艺窗。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 内存 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变化内存组件的制造方法，包括：提供基底，其上形成有下电极；形成加热电极和介电层于该下电极上，其中该加热电极被该介电层环绕；蚀刻该加热电极，以在该介电层中形成凹槽；沉积相变化材料于该介电层上并填入该凹槽中；研磨该相变化材料，移除高于该介电层表面的部分相变化层，形成局限于该介电层的凹槽中的相变化层；及形成上电极于该相变化层和该介电层上。
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