[发明专利]真空容器和等离子体处理装置有效

申请号：	200910130844.7	申请日：	2009-04-15
公开（公告）号：	CN101562126A	公开（公告）日：	2009-10-21
发明（设计）人：	笠原稔大	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/3065;H01L21/311;C23F4/00
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种真空容器，其能够维持作为真空容器的充分机械强度，同时能够实现轻量化，并能够极力减轻其材料费和加工费。等离子体处理容器(100a)具有成形为方筒形的下部容器(1)和与该下部容器(1)组合的上部容器(10)。上部容器(10)具有框体(21)、经由绝缘部件(23)连接在该框体(21)上的喷淋头(25)、配设在这些框体(21)以及喷淋头(25)的上方的梁结构体(27)，构成喷淋头(25)的底板(31)露出在大气压的外部空间。
搜索关键词：	真空容器等离子体处理装置
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【主权项】：

1.一种真空容器，其形成在真空状态下对被处理体进行规定处理的处理空间，其特征在于，包括：下部容器，其呈上部开口的箱状，内部配置有载置被处理体的载置台；和上部容器，其能够相对于所述下部容器开闭，在关闭状态下与所述下部容器气密接合，所述上部容器具有：与所述下部容器的开口端抵接的第一框体；固定在该第一框体上的梁结构体；和在从外侧连接并支承在所述梁结构体上的状态下向所述处理空间导入处理气体的喷淋头，在所述喷淋头的上部露出在大气压空间的状态下通过所述梁结构体使所述喷淋头具有对大气压的耐压强度。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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