[发明专利]分离基板与半导体层的方法无效
| 申请号： | 200910130868.2 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101866880A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 涂博闵;黄世晟;叶颖超;林文禹;吴芃逸;马志邦;洪梓健;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/311;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种分离基板与半导体层的方法，其特征为形成一图案化二氧化硅层于暂时基板与半导体层之间，再以二次湿式蚀刻的方式从图案化二氧化硅层将暂时基板分离。本发明用化学湿式蚀刻的方式去除暂时基板可以避免半导体层因激光剥离方法(Laser Lift Off；LLO)而破坏结构。另外，化学湿式蚀刻的方式可以让制造工艺步骤更简单，技术成本降低。在垂直半导体元件上，由于制造工艺形成的不规则表面更增加元件的发光效益。另外，在制造工艺中使用湿式蚀刻也可增加批次放大，降低制造工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种分离基板与半导体层的方法，包含下列步骤：提供一暂时基板；形成一图案化二氧化硅层位于该暂时基板上；成长一半导体层位于该图案化二氧化硅层上；第一次蚀刻该图案化二氧化硅层；以及第二次蚀刻该暂时基板与该半导体层的界面以移除该暂时基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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