[发明专利]氮化物系半导体发光组件有效
| 申请号： | 200910131543.6 | 申请日： | 2009-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859837A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄国钦;潘锡明;潘宏立;黄政国;郑惟纲;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 璨扬投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 中国香港湾仔皇后大*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物系半导体发光组件，该发光组件包含一发光外延层、一P型电极及一N型电极，该P型电极及该N型电极设于该发光外延层之上，本发明的特征在于该N型电极设于该P型电极内侧，该P型电极沿着该发光外延层的边缘向该N型电极呈辐射状延伸，该N型电极沿着该P型电极的内侧向内呈辐射状延伸。本发明的该发光组件通过特殊的电极图案设计，以增加该发光组件的发光面积。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 组件 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光组件，其特征是：该氮化物系半导体发光组件系包含：一发光外延层；一P型电极，设于该发光外延层之上；以及一N型电极，设于该发光外延层之上，并位于该P型电极的内侧；其中，该P型电极从该发光外延层的边缘向该N型电极呈辐射状延伸，该N型电极从该P型电极的内侧边缘向内呈辐射状延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于璨扬投资有限公司，未经璨扬投资有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910131543.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
