[发明专利]双扩散金属氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 200910132147.5 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101567387A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 大竹诚治;菊地修一;武田安弘;牧贤一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种DMOS晶体管。减少DMOS晶体管的导通电阻，而且防止静电破坏强度的恶化。把DMOS晶体管的源极层(5)端部配置成从栅极电极(7)内侧的角部(7A)后退。不把源极层(5)上的硅化物层(11)从源极层(5)的端部向外延伸。即虽然在源极层(5)的表面形成硅化物层(11)，但在源极层(5)与栅极电极(7)内侧的角部(7A)之间露出的体层(4)表面并没形成硅化物层(11)。由此，没有电流集中，由于电流在DMOS晶体管整体大致均匀流动，所以能够提高静电破坏强度。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种DMOS晶体管，其特征在于，具备：半导体层、形成于所述半导体层表面的第一导电型体层、形成于所述体层表面的第二导电型源极层、形成于所述源极层表面的硅化物层、把所述体层和所述源极层包围而形成为环状的栅极电极，在所述源极层与所述栅极电极之间露出的所述体层表面不形成所述硅化物层。
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