[发明专利]用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材及生产方法无效
| 申请号： | 200910133331.1 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101851740A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 孔伟华 | 申请（专利权）人： | 宜兴佰伦光电材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C04B35/622;C04B35/495 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏忠晖 |
| 地址： | 214263*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜的导电Nb2O5-x靶材。该导电Nb2O5-x靶材所用的原料粉体中，ZnO的含量为80-99wt％，In2O3为0.1-10wt％，Ga2O3含量为0.1-10wt％，粉体平均粒径为0.05-50微米，原料粉体的纯度大于或等于4N。本发明还公开了该导电Nb2O5-x靶材的生产方法。本发明的所得材料是一种导电性能良好的Nb2O5-x靶材，使得用磁控溅射生产氧化铌系列光学功能膜成为可能，可以保证制造大面积氧化铌系列光学功能膜时的膜层均匀度，生产过程更易控制，生产效率比以前用常规不良导电体Nb2O5为靶源采用交流射频溅射或真空蒸发镀膜工艺提高30-50％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁控溅射 镀膜 导电 nb sub 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种导电Nb2O5-x靶材，其特征在于：所用的原料粉体中，Nb2O5的含量为90-99.7wt％，金属铌粉含量为0.3-10wt％，Nb2O5粉体平均粒径为0.05-50微米，金属铌粉的粒度≥200目，原料粉体的纯度大于或等于4N。
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