[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200910133551.4 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101562172A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 高冈洋道;窪田吉孝;津田浩嗣 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/34;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置(200)，包括：电熔丝(100)，包括：下层互连(120)，形成在基板上；通孔(130)，提供在下层互连(120)上，以便连接到下层互连(120)；以及上层互连(110)，提供在通孔(130)上，以便连接到通孔(130)，通过形成流出部，电熔丝被切断，在切断之后的状态中，流出部在形成上层互连(110)的电导体流到上层互连(110)的外部时形成；以及防护上层互连(152)(导电吸热构件)，形成在至少与上层互连(110)相同的层中，用于吸收在上层互连(110)中产生的热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：基板；电熔丝，包括：下层互连，形成在所述基板上；通孔，提供在所述下层互连上，以便连接到所述下层互连；以及上层互连，提供在所述通孔上，以便连接到所述通孔，在切断之后的状态中，所述电熔丝通过形成流出部而被切断，所述流出部在形成所述上层互连的电导体流到所述上层互连的外部时形成；以及导电吸热构件，形成在至少与所述上层互连相同的层中，用于吸收在所述上层互连中产生的热。
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