[发明专利]电路基板的制造方法有效
申请号: | 200910133837.2 | 申请日: | 2009-04-03 |
公开(公告)号: | CN101587843A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 成田悟郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社元素电子 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/66;H01L21/58 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种电路基板的制造方法。由于现有的电路基板制造方法不能全部发现电路基板上针孔等微细的缺陷,所以在用保护树脂覆盖电路元件和接合线的工序中由于从缺陷流入的保护树脂层而产生不合格。本发明的制造方法在电路基板(1)配列多个电路元件放置区域(15),在该电路元件放置区域的周边形成多个通孔电极(16),把所述通孔电极的至少一端由抗蚀剂覆盖,对所述电路基板加压并测定压力变化,检测所述抗蚀剂层有无与所述通孔电极相连的针孔等的缺陷,向没有所述缺陷的所述电路基板组装所述电路元件,附着把所述电路元件覆盖的保护树脂层,而实现防止所述保护树脂从所述抗蚀剂层(14)向所述通孔电极流入。 | ||
搜索关键词: | 路基 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电路基板的制造方法,其特征在于,电路基板配列多个电路元件放置区域,在该电路元件放置区域的周边形成多个通孔电极,把所述通孔电极的至少一端由抗蚀剂层覆盖,对所述电路基板加压并测定压力变化,检测所述抗蚀剂层有无与所述通孔电极相连的剥离、破裂或针孔等的缺陷,向没有所述缺陷的所述电路基板组装所述电路元件,附着把电路元件覆盖的保护树脂层,防止所述保护树脂从所述抗蚀剂层向所述通孔电极流入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造