[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
申请号: | 200910136929.6 | 申请日: | 2009-04-28 |
公开(公告)号: | CN101656270A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 郑现中;金民圭;郑棕翰;牟然坤 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/12;H01L21/336 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管(TFT)包括栅极、有源层、源极和漏极。有源层包括与源极和漏极接触的接触区域,接触区域比有源层的剩余区域薄。接触区域减小有源层与源极和漏极之间的接触电阻。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极;有源层,与栅极叠置并具有接触区域和比所述接触区域厚的剩余区域;源极和漏极,与接触区域接触。
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