[发明专利]发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法有效
申请号: | 200910137017.0 | 申请日: | 2009-04-27 |
公开(公告)号: | CN101599457A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 金维植 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00;H01S5/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘光明;穆德骏 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法。本发明涉及一种垂直型发光器件和制造该发光器件的高产量方法。可以在可以在发光系统中放置的各种发光封装中利用这些发光器件。发光器件被设计成将发光效率和/或散热最大化。其他的改进包括嵌入的齐纳二极管,以避免有害的反向偏置电压。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 包括 系统 封装 及其 构造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造发光器件的方法,包括:在第一衬底上形成至少一个发光结构,所述发光结构包括在所述第一衬底上的第一覆层、在所述第一覆层上的有源层、在所述有源层上的第二覆层以及至少一个倾斜的侧表面,所述至少一个倾斜的侧表面包括所述第一覆层、所述有源层以及所述第二覆层的暴露面;在所述发光结构上形成构图的绝缘层,其中,所述绝缘层包括暴露所述第二覆层的一部分的凹进;在所述凹进中和在所述绝缘层的至少一部分上形成第一电极层;将所述第一电极层的至少一部分附着到第二导电衬底;去除所述第一衬底,以暴露所述第一覆层的至少一个表面;以及在所述发光结构的第一覆层的暴露表面上形成第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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