[发明专利]低成本大画面广视野角高速回应液晶显示装置

摘要

本发明是以3次的光微影步骤制造超大型广视野角超高速响应液晶显示装置。本发明是于使用半色调曝光技术形成栅极(Gate)电极、共享电极、像素电极及接触焊垫后，使用半色调曝光技术形成a-硅(Si)孤岛与接触孔。并使用普通曝光技术形成源极电极、漏极电极与配向控制电极。钝化层是使用遮蔽沉积(maskingdeposition)法，而以P-CVD法成膜，或是使用喷墨涂布法或喷涂法，通过在局部区域涂布保护层，可以3次光微影步骤制造超大型广视野角超高速响应液晶显示用TFT数组基板。

主权项

1、一种IPS模式用主动矩阵基板的制造方法，该基板构成主动矩阵显示装置，其特征为：使用下述3次光微影步骤来制造：1)形成栅极电极、梳齿状像素电极、影像信号线屏蔽用共享电极、像素电极内接触焊垫、及影像信号线屏蔽用共享电极内接触焊垫，2)形成薄膜半导体层组件分离、及接触孔，3)形成源极电极、漏极电极、像素中央共享电极及梳齿状共享电极，干式蚀刻薄膜晶体管的通道部的奥姆接触层后，使用屏蔽沉积法局部成膜硅氮化膜钝化层，不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共享电极端子部上成膜。