[发明专利]记忆体阵列以及记忆体装置有效
| 申请号： | 200910137300.3 | 申请日： | 2009-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101800073A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 罗俊元;易成名;吕文彬 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/14 | 分类号： | G11C8/14;G11C16/08;H01L27/115;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种记忆体阵列以及记忆体装置。该记忆体装置，包括：一基底、多个字线、多个导电区以及至少一遮蔽插塞。基底上配置字线，且配置至少一虚拟字线邻近该些字线。导电区则位于基底中且分别介于该些字线之间。遮蔽插塞位于基底上并且邻近虚拟字线，并介于虚拟字线与该些字线之间，并且在虚拟字线周围并未配置任何自行对准源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 阵列 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种记忆体阵列，其特征在于其包括：多个字线；一虚拟字线，位于该记忆体阵列的一边缘；以及多个遮蔽插塞，邻近该虚拟字线且位于该虚拟字线与该些字线之间。
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