[发明专利]半导体晶体管无效
| 申请号： | 200910137570.4 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101728427A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 吴国成 | 申请（专利权）人： | 吴国成 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/47;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种半导体晶体管组件，其包括一个或多个导电基极区、第一半导体能阻区、第二半导体能阻区、导电射极区及导电集极区。第一半导体能阻区或第二半导体能阻区的尺寸小于100第一肖特基能阻接合形成于第一半导体能阻区与导电基极区的界面。第二肖特基能阻接合形成于第二半导体能阻区与导电基极区的界面。第三肖特基能阻接合形成于导电射极区与第一半导体能阻区的界面。第四肖特基能阻接合形成于导电集极区与第二半导体能阻区的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管组件，包括：a)一个或多个导电基极区，连接到第一电子端；b)第一半导体能阻区，接触该导电基极区，其中第一肖特基能阻接合形成于该第一半导体能阻区与该导电基极区的界面；c)第二半导体能阻区，接触该导电基极区，其中第二肖特基能阻接合形成于该第二半导体能阻区与该导电基极区的界面；d)导电射极区，接触该第一半导体能阻区，其中第三肖特基能阻接合形成于该导电射极区与该第一半导体能阻区的界面，其中该导电射极区连接到第二电子端；及e)导电集极区，接触该第二半导体能阻区，其中第四肖特基能阻接合形成于该导电集极区与该第二半导体能阻区的界面，其中该导电集极区连接到第三电子端；其中，至少该第一半导体能阻区或该第二半导体能阻区的尺寸小于100![]()
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