[发明专利]半导体晶片保护膜无效

专利信息
申请号: 200910137720.1 申请日: 2009-04-27
公开(公告)号: CN101567340A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 市六信广 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L21/78
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供半导体晶片保护膜,包括衬底膜和提供在衬底膜一面上的保护层,所述保护层含有:(A)100质量份的选自苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树脂的至少一种树脂;(B)5~200质量份的环氧树脂;(C)100~400质量份的填料;和(D)催化量的环氧树脂固化催化剂,其中涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒占所述填料的10~100质量份。
搜索关键词: 半导体 晶片 保护膜
【主权项】:
1.半导体晶片保护膜,包括衬底膜和提供在衬底膜一面上的保护层,所述保护层包括:(A)100质量份的选自苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树脂的至少一种树脂,(B)5~200质量份的环氧树脂,(C)100~400质量份的填料,和(D)催化量的环氧树脂固化催化剂,其中涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅橡胶细粒占所述填料的10~100质量份。
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