[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 200910138200.2 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101752365A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 朱振樑;廖俊廷;黄宗义;陈斐筠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/49;H01L21/822;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构，包括：一高压阱区(high-voltage well，HVW)于一半导体基底中；一第一双重扩散(double diffusion，DD)区于该高压阱区中；以及一第二双重扩散区于该高压阱区中。该第一双重扩散区与该第二双重扩散区通过该高压阱区的一中间部分互相分离。一凹口自该半导体基底的顶部表面延伸进入该高压阱区的该中间部分与该第二双重扩散区。一栅极介电层延伸进入该凹口且覆盖该凹口的底部。一栅极于该栅极介电层上。一第一源/漏极区于该第一双重扩散区中。一第二源/漏极区于该第二双重扩散区中。本发明可减少高压金属氧化物半导体元件所占据的芯片面积与减少漏电流；且不需额外的掩模与工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一半导体基底；一高压阱区于该半导体基底中；一第一双重扩散区于该高压阱区中；一第二双重扩散区于该高压阱区中，其中该第一双重扩散区与该第二双重扩散区通过该高压阱区的一中间部分彼此互相分离；一凹口自该半导体基底的顶部表面延伸进入该高压阱区的该中间部分与该第二双重扩散区；一栅极介电层延伸进入该凹口且覆盖该凹口的底部；一栅极电极于该栅极介电层上；一第一源/漏极区于该第一双重扩散区中；以及一第二源/漏极区于该第二双重扩散区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
