[发明专利]半导体迭层与其制造方法有效
| 申请号： | 200910138578.2 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101540282A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 侯智元 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/263 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体迭层与其制造方法。一种半导体迭层的制造方法，其包括下列步骤。首先，于基板上形成非晶硅层。接着，对非晶硅层的表面进行表面处理。之后，于经过表面处理后的非晶硅层的表面上形成掺杂微晶硅层，其中非晶硅层与掺杂微晶硅层之间的界面缺陷，在宽度为1.5微米与厚度为40纳米的一截面范围内，所占的截面积比例小于或等于10％。上述半导体迭层的制造方法可应用于半导体元件的制程中，以有效减少半导体迭层的界面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体迭层的制造方法，其特征在于，所述方法包括：于一基板上形成一非晶硅层；对所述非晶硅层的一表面进行一表面处理；以及于经过所述表面处理后的所述非晶硅层的所述表面上形成一掺杂微晶硅层，其中所述非晶硅层与所述掺杂微晶硅层之间的界面缺陷，在宽度为1.5微米与厚度为40纳米的一截面范围内，所占的截面积比例小于或等于10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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