[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910140307.0 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101685793A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 徐智贤 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方案涉及制造半导体器件的方法。根据该实施方案，在半导体衬底上依次地形成隧道绝缘层、用于浮置栅极的导电层和硬掩模层。通过蚀刻硬掩模层、用于浮置栅极的导电层、隧道绝缘层和半导体衬底形成隔离沟槽。通过采用绝缘层填充隔离沟槽形成隔离结构。通过蚀刻隔离结构的预定厚度来暴露隔离沟槽的上部侧壁。通过实施离子注入工艺在隔离沟槽的暴露的上部侧壁中形成离子注入区域。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成隧道绝缘层、用于浮置栅极的导电层和硬掩模层；通过蚀刻所述硬掩模层、所述用于浮置栅极的导电层、所述隧道绝缘层和所述半导体衬底，形成具有侧壁的隔离沟槽；通过用绝缘层填充所述隔离沟槽形成隔离结构；通过蚀刻掉所述隔离结构的预定厚度来暴露所述隔离沟槽的上部侧壁；和通过实施离子注入工艺在所述隔离沟槽的暴露的上部侧壁中形成离子注入区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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