[发明专利]内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路有效

专利信息
申请号: 200910140911.3 申请日: 2009-05-12
公开(公告)号: CN101887895A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 黄志丰;张光铭 申请(专利权)人: 立锜科技股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L23/52;H01L29/78;H02M7/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊;王英
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路,使用增强型金氧半场效晶体管搭配两串联电阻,来作为交/直流电压转换电路的启动电路,以在交/直流电压转换电路的脉宽调变电路开始正常工作后,可以关闭启动电路的运作,并同时提供脉宽调变电路电源电压不足的检测。此外,增强型金氧半场效晶体管还内建于功率晶体管芯片中,由于增强型金氧半场效晶体管可采用功率晶体管的相同工艺来制作,故不会增加额外的掩模与工艺,而可简化工艺、节省成本。
搜索关键词: 增强 型金氧 半场 晶体管 功率 芯片 及其 应用 电路
【主权项】:
一种内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片,适用于交/直流电压转换电路,包括:第一接脚;第二接脚;第三接脚;第四接脚;第五接脚;功率晶体管,用以作为所述交/直流电压转换电路的功率开关,具有第一源/漏极、第二源/漏极与功率晶体管栅极,所述第一源/漏极耦接所述第一接脚,所述第二源/漏极耦接所述第二接脚,所述功率晶体管栅极耦接所述第三接脚;以及增强型金氧半场效晶体管,用以作为所述交/直流电压转换电路的启动电路,具有第三源/漏极、第四源/漏极与增强型金氧半场效晶体管栅极,所述第三源/漏极耦接所述第一接脚,所述第四源/漏极耦接所述第四接脚,所述增强型金氧半场效晶体管栅极耦接所述第五接脚。
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