[发明专利]内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路有效
申请号: | 200910140911.3 | 申请日: | 2009-05-12 |
公开(公告)号: | CN101887895A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 黄志丰;张光铭 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L23/52;H01L29/78;H02M7/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊;王英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路,使用增强型金氧半场效晶体管搭配两串联电阻,来作为交/直流电压转换电路的启动电路,以在交/直流电压转换电路的脉宽调变电路开始正常工作后,可以关闭启动电路的运作,并同时提供脉宽调变电路电源电压不足的检测。此外,增强型金氧半场效晶体管还内建于功率晶体管芯片中,由于增强型金氧半场效晶体管可采用功率晶体管的相同工艺来制作,故不会增加额外的掩模与工艺,而可简化工艺、节省成本。 | ||
搜索关键词: | 增强 型金氧 半场 晶体管 功率 芯片 及其 应用 电路 | ||
【主权项】:
一种内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片,适用于交/直流电压转换电路,包括:第一接脚;第二接脚;第三接脚;第四接脚;第五接脚;功率晶体管,用以作为所述交/直流电压转换电路的功率开关,具有第一源/漏极、第二源/漏极与功率晶体管栅极,所述第一源/漏极耦接所述第一接脚,所述第二源/漏极耦接所述第二接脚,所述功率晶体管栅极耦接所述第三接脚;以及增强型金氧半场效晶体管,用以作为所述交/直流电压转换电路的启动电路,具有第三源/漏极、第四源/漏极与增强型金氧半场效晶体管栅极,所述第三源/漏极耦接所述第一接脚,所述第四源/漏极耦接所述第四接脚,所述增强型金氧半场效晶体管栅极耦接所述第五接脚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的