[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200910141718.1 | 申请日: | 2005-03-09 |
公开(公告)号: | CN101615619A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;荒尾达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01Q23/00;H01Q1/38;G06K19/077 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦 晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体器件,例如本发明的ID芯片,包括使用半导体元件的集成电路,和与集成电路相连的天线,其中半导体元件是通过使用半导体膜构造的。优选机将天线与集成电路构造在一起,因为这样可以增强ID芯片的机械强度。注意,本发明中使用的天线还包括环绕或螺旋缠绕的导线和布置在导线之间的软磁材料微粒。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:挠性衬底,包含纸或塑料衬底,包含薄膜晶体管的集成电路,具有导线的天线,和与导线的一侧接触的绝缘膜,其中,所述集成电路和所述天线形成在所述挠性衬底上方以便相互电连接,以及所述绝缘膜包含选自由聚酰亚胺,环氧树脂,丙烯和聚酰胺构成的组中的有机树脂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的