[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910141836.2 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101771012A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张宏宾;许国经;陈承先;邱文智;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于堆叠裸片的隔离结构。该制造方法包括：于一半导体基底中形成硅穿孔，并薄化该半导体基底的背侧以露出硅穿孔。形成一隔离层于半导体基底的背侧与硅穿孔上，并薄化隔离层以重新露出硅穿孔。之后，形成一导电元件于硅穿孔上。本发明中提供的隔离结构，其围绕露出的硅穿孔，因此提供一较大的湿润表面，使焊球和基板之间可形成良好的电性连接。如此一来，可增加焊球的密度。此外，隔离层也可增加接合界面的机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一半导体基底，其具有相对的电路侧与背侧；多个硅穿孔，延伸进入该半导体基底，且每一硅穿孔具有一突出部，突出于该半导体基底的背侧；一隔离层，位于该半导体基底的背侧且介于相邻的硅穿孔之间，该隔离层未延伸超过每一硅穿孔的突出部的顶端；以及一导电元件，位于每一硅穿孔的突出部上。
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