[发明专利]一种半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 200910143052.3 | 申请日： | 2009-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101677063A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/22;H01L21/82;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体元件及其形成方法。在基板上形成一栅极堆叠。利用掺杂剂沉积出一原子层，并进行退火工艺以使得掺杂剂扩散至位于栅极堆叠二对侧上的基板部分中，而形成超浅接面。在形成原子层之前，可在基板上形成多个凹陷，且可利用磊晶工艺填充该些凹陷。可将上述沉积、退火以及磊晶生长(若有的话)重复数次，直到得到所需接面为止。也可在栅极堆叠的二对侧上形成源极/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成一半导体元件的方法，其特征在于该方法至少包含以下步骤：提供一基板，其具有一栅极堆叠形成于其上；在该基板中形成重掺杂源极/漏极区域于该基板的相对侧上；形成一掺杂剂的一原子层于该基板中该栅极堆叠的相对侧的一表面上；以及退火该基板，从而在该基板中该栅极堆叠的相对侧上形成超浅接面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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