[发明专利]半导体集成电路器件及半导体集成电路器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体集成电路器件及其制造方法。在本发明的预金属工艺中，在蚀刻终止膜上形成臭氧TEOS膜后，对臭氧TEOS膜进行回蚀，以使栅极结构上的蚀刻终止膜暂时露出，然后，再在残存臭氧TEOS膜上形成等离子TEOS膜，并通过CMP法对所述等离子TEOS膜进行平坦化。本发明是适用于绝缘膜成膜的技术、特别是对预金属(Pre-Metal)层间绝缘膜的成膜等有效的技术。

主权项

一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在半导体晶片的第一主面上形成包括多晶硅栅电极的多个MISFET的栅极结构；(b)在上述半导体晶片第一主面的各个栅极结构的两侧附近形成源极和漏极区域；(c)在上述步骤(a)和上述步骤(b)之后，对上述源极和漏极区域的上表面进行硅化物化；(d)在上述半导体晶片的上述第一主面上形成蚀刻终止膜，其中，上述半导体晶片的上述第一主面包括上述硅化物化后的上述源极和漏极区域的上述上表面；(e)在上述蚀刻终止膜上形成预金属层间绝缘膜的一部分即形成通过使用了臭氧和TEOS的热CVD形成的第一氧化硅膜；(f)通过对上述第一氧化硅膜进行蚀刻来使上述蚀刻终止膜在各栅极结构上露出；(g)在上述步骤(f)之后，在上述蚀刻终止膜的露出部分和上述第一CVD氧化硅膜的残留部分上形成上述预金属层间绝缘膜的一部分，即形成通过使用了TEOS的等离子CVD形成的第二氧化硅膜；以及(h)对上述第二氧化硅膜的上表面进行第一化学机械抛光处理。