[发明专利]感应等离子体掺杂有效
| 申请号： | 200910146987.7 | 申请日： | 2009-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101770943A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 林思宏;杨棋铭;陈其贤;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/335;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，在感应等离子体腔体内对半导体晶片掺杂的方法包括：在感应等离子体腔体内产生具有相对于地电位的第一电压的等离子体，以及在感应等离子体腔体内对基座电极施加相对于地电位的射频(RF)电压。该正RF电压为基于所述等离子体的第一电压。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 等离子体 掺杂 | ||
【主权项】：
一种对放置在感应等离子体腔体内的基座电极上的半导体晶片掺杂的方法，包括：在感应等离子体腔体内产生等离子体，该等离子体具有相对于地电位的第一电压；以及在感应等离子体腔体内对该基座电极施加相对于地电位的正射频(RF)电压，该正RF电压基于该等离子体的第一电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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