[发明专利]挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910146998.5 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101924067A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 陈东森;魏小芬;江良佑;张悠扬 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/50;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法。该挠性膜自载板上脱离的方法包含：提供载板，其中该载板具有上表面；对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；形成挠性膜于该载板具有防粘特性的上表面；以及，对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 挠性膜 载板上 脱离 方法 可挠式 电子 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种挠性膜自载板上脱离的方法，包含：提供载板，其中该载板具有上表面；对该载板的上表面进行表面处理，以形成具有防粘特性的上表面；在该载板具有防粘特性的上表面上形成挠性膜；以及对形成于该载板上的该挠性膜进行切割脱离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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