[发明专利]处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备有效
| 申请号： | 200910148064.5 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101615571A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 崔贤范;车安基 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李树明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种处理基板用的真空腔室包含：腔室本体；及腔室盖，与该腔室本体相结合，其中该腔室盖包含：框架，具有数个开口；及数个平板，与该数个开口相结合，该数个平板中的每一者皆具有比该框架更高的导热性。本发明的真空腔室可防止因强度提升所致的变形。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 基板用 空腔 包含 设备 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板用的真空腔室，包含：腔室本体；及腔室盖，与该腔室本体相结合，其中该腔室盖包含：框架，具有数个开口；及数个平板，与该数个开口相结合，该数个平板中的每一者皆具有比该框架更高的导热性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
