[发明专利]半导体集成电路器件有效

专利信息
申请号: 200910149191.7 申请日: 2009-06-26
公开(公告)号: CN101635506A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 有坂直也;伊藤崇泰 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H02M3/00 分类号: H02M3/00;H01L27/02;H01L23/52
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体集成电路器件,其极大地降低由调节器产生的电源电压的电压降并高效且高精度地确保电源电压的稳定提供。在该器件中,存储器电源包括多个晶体管和一个误差放大器。在晶体管中,源极焊盘和漏极焊盘沿着半导体芯片的一个边缘在该芯片的外围区域中交替布置成行。晶体管栅极与交替布置的源极焊盘和漏极焊盘平行形成(使得栅极的纵向方向与源极焊盘和漏极焊盘的布置方向平行)。因此,缩短与漏极和源极耦合的布线长度并减小薄片电阻。
搜索关键词: 半导体 集成电路 器件
【主权项】:
1.一种半导体集成电路器件,具有用于将直流电源电压转换成给定直流电压的调节器,所述调节器包括:输出驱动器,其包括多个晶体管;输入电压焊盘,用于将电源电压提供到所述晶体管的源极;输出电压焊盘,其耦合到所述晶体管的漏极,以输出给定直流电压,其中所述输入电压焊盘和所述输出电压焊盘沿着其中形成所述调节器的半导体芯片的一个边缘布置成行,以及其中所述晶体管的栅极与所述输入电压焊盘和所述输出电压焊盘的布置平行。
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