[发明专利]集成电路及其制作方法、固态存储器模块和计算机系统

摘要

本发明提供了一种集成电路及其制作方法、固态存储器模块和计算机系统。一种集成电路包括闪速存储器单元和外围电路，该外围电路包括低电压晶体管(LVT)和高电压晶体管(HVT)。该集成电路包括隧道阻障层，该隧道阻障层包括SiON、SiN或其他高k材料。隧道阻障层可以包括HVT的栅极电介质的一部分。隧道阻障层可以构成HVT的完整的栅极电介质。在浅槽隔离(STI)之间或者在STI之上可以形成对应的隧道阻障层。因此，可以提高驱动器芯片IC的制造效率。

主权项

1.一种集成电路，包括：存储器单元区，所述存储器单元区具有多个存储器单元晶体管，每个存储器单元晶体管包括：在衬底上形成的隧道阻障层、在所述隧道阻障层上形成的电荷储存层、在所述电荷储存层上形成的阻挡层、及在所述阻挡层上形成的其晶体管栅电极；在所述存储器单元区中形成的第一槽隔离(TI)，用于隔离所述存储器单元晶体管中的至少一个；位于所述存储器单元区外部的外围区，包括低电压晶体管和高电压晶体管，其中所述低电压晶体管(LVT)和所述高电压晶体管(HVT)中的每一个包括所述隧道阻障层；在所述外围区中形成的第二槽隔离(TI)，用于隔离所述低电压晶体管中的至少一个；以及在所述外围区中形成的第三槽隔离(TI)，用于隔离所述高电压晶体管中的至少一个，其中所述隧道阻障层包括第一电介质层和第二电介质层。