[发明专利]半导体装置以及电子设备

摘要

一种半导体装置，包括：设置在第一端子部100中并包括第一n型杂质区域106、在平面图中设置在所述第一n型杂质区域106的内周部的第一电阻区域107、以及在平面图中设置在所述第一电阻区域107的内周部的第一p型杂质区域108的第一半导体区域103，设置在所述第二端子部101中并包括第二p型杂质区域109、在平面图中设置在所述第二p型杂质区域109的内周部的第二电阻区域110、以及设置在所述第二电阻区域110的内周部的第二n型杂质区域111的第二半导体区域104。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体区域；第一电极；第二电极；电连接到所述第一电极的第一端子；以及电连接到所述第二电极的第二端子，其中所述第一端子设置在所述半导体区域上，所述半导体区域包括：具有n型和p型中的一种导电型的第一杂质区域；在平面图中设置在所述第一杂质区域的内周部的电阻区域；以及在所述平面图中设置在所述电阻区域的内周部的具有n型和p型中的另一种导电型的第二杂质区域，所述第一杂质区域电连接到所述第一电极，并且所述第二杂质区域电连接到所述第二电极。