[发明专利]检测结构与线上晶片监测方法无效
| 申请号： | 200910150312.X | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101930905A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 周玲君;陈铭聪;曹博昭;刘喜华;雷舜诚;林明邑 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/544;G01N23/20;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测结构与线上晶片监测方法。线上晶片监测方法，包括：首先提供晶片，接着在晶片上形成至少一个检测结构。形成检测结构的步骤是先于晶片中形成分开配置的N型井区与P型井区，再分别于N型井区上与P型井区上形成栅极，接着分别于各栅极两侧的N型井区中与P型井区中形成P型掺杂区，随之再于各P型掺杂区上形成第一接触窗插塞，且于各栅极上形成第二接触窗插塞。之后，利用电子束检测系统进行缺陷检测，通过观测第二接触窗插塞以判断第一接触窗插塞与栅极是否发生短路。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 结构 线上 晶片 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种线上晶片监测方法，包括：提供晶片；于该晶片上形成至少一检测结构，包括：于该晶片中形成N型井区与P型井区，该N型井区与该P型井区为分开配置；分别于该N型井区上与该P型井区上形成栅极；分别于各该栅极两侧的该N型井区中与该P型井区中形成P型掺杂区；以及于各该P型掺杂区上形成第一接触窗插塞，且于各该栅极上形成第二接触窗插塞；以及利用电子束检测系统进行缺陷检测，以检测各该第一接触窗插塞与各该栅极之间的短路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
