[发明专利]缓冲板以及基板处理装置有效
| 申请号： | 200910150475.8 | 申请日： | 2009-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101615575A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种缓冲板以及基板处理装置，与现有技术相比能够实现处理均匀性的提高，缓冲板(5)具有多个排气孔(5a)，且被设置在用于载置基板的载置台3的周围，该缓冲板(5)具有层叠结构，并且具备供给用于对处理腔室(2)内的压力进行调整的压力调整用气体的压力调整用气体供给流路(50)。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 以及 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种缓冲板，其特征在于：该缓冲板被设置于在内部处理基板的处理腔室内的、用于载置所述基板的载置台的周围，并且该缓冲板具有多个排气孔，用于经由这些排气孔对所述处理腔室内进行排气，该缓冲板由层叠多个板状部件的层叠体构成，在该缓冲板的内部形成有压力调整用气体供给流路，该压力调整用气体供给流路供给用于对所述处理腔室内的压力进行调整的压力调整用气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
