[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体存储装置(10)具有：半导体衬底(13)；第1杂质区域(17)；第2杂质区域(15)；沟道区域(75)，形成在位于第1杂质区域(17)和第2杂质区域(15)之间)；第1栅极(42)，形成在沟道区域(75)所在的半导体衬底(13)主表面上的、第1杂质区域(17)侧的主表面上；第2栅极(45)，经由第2绝缘膜(44)形成在沟道区域(75)所在的半导体衬底(13)的主表面上的、第2杂质区域侧(15)的主表面上；第3绝缘膜(46)，位于相对于所述第1栅极(42)的、所述第2栅极(45)相反一侧的所述半导体衬底的主表面上、并形成在所述第1栅极(42)的侧面上；与第2绝缘膜(44)和位于其正下方的半导体衬底的主表面的界面相比，第3绝缘膜(46)和位于其正下方的半导体衬底的主表面的界面位于上方。由此，可减少总步骤数，并降低成本。

主权项

1.一种半导体存储装置的制造方法，该半导体存储装置具有：形成存储单元晶体管的存储单元区域、和形成进行所述存储单元晶体管的动作控制的外围电路的外围电路区域，其中包括如下步骤：在半导体衬底的主表面上选择性地形成隔离区域，并规定活性区域；在所述活性区域上形成第1绝缘膜；在所述存储单元区域形成所述第1导电膜；在所述存储单元区域，对所述第1导电膜进行构图，形成导电膜图形，在该导电膜图形中，在成为能够起到源区作用的第1杂质区域的区域上具有开口部；将所述存储单元区域的所述导电膜图形作为掩模，对所述半导体衬底的主表面引入杂质；覆盖所述导电膜图形，形成由第1硅氧化膜、硅氮化膜以及第2硅氧化膜形成的能够蓄积电荷的第2绝缘膜；在所述第2绝缘膜上形成第2导电膜；在所述存储单元区域，对所述第2导电膜进行刻蚀，在所述导电膜图形的开口部的侧面，同时形成两个所述存储单元晶体管的侧墙状的存储器栅极；在所述存储单元区域，将所述导电膜图形和所述两个存储器栅极作为掩模，形成所述第1杂质区域；在所述存储单元区域，对所述导电膜图形中的能够起到漏区作用的第2杂质区域所在的区域进行刻蚀并进行构图，同时，对形成在所述外围电路区域上的晶体管的栅极进行形成；以及对所述半导体衬底的主表面引入杂质，形成所述存储单元晶体管的所述第2杂质区域、以及形成在所述外围电路区域上的晶体管的源区和漏区。