[发明专利]无核心封装基板的制造方法有效
| 申请号： | 200910150829.9 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101924037A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王建皓;李明锦 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/13;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种无核心封装基板的制造方法，其是在一临时核心层的二侧分别依序堆叠一第一金属箔层、一第一介电层及第二金属箔层，所述第一金属箔层具有一平坦表面及一粗糙表面，所述平坦表面朝向所述临时核心层，及所述粗糙表面朝向所述第一介电层。接着，对每一所述第二金属箔层进行图案化，并堆叠至少一增层结构。在上述增层期间，所述临时核心层暂时提供支撑作用。在完成增层之后，移除所述临时核心层，以得到二无核心封装基板。 | ||
| 搜索关键词： | 核心 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种无核心封装基板的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含：提供一临时核心层；在所述临时核心层的二侧分别依序堆叠一第一金属箔层、一第一介电层及第二金属箔层，其中所述第一金属箔层具有一平坦表面及一粗糙表面，所述平坦表面朝向所述临时核心层，及所述粗糙表面朝向所述第一介电层；对每一所述第二金属箔层进行图案化，以分别形成一第二电路层；在每一所述第二电路层外堆叠至少一增层结构，所述增层结构包含一增层介电层及一增层金属箔层；及移除所述临时核心层，以得到二无核心封装基板，每一所述无核心封装基板至少包含所述第一金属箔层、第一介电层、第二电路层及至少一增层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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