[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910151047.7 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101656227A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 石桥真人;堀田胜之;山下朋弘;角村贵昭;黑井隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/765 | 分类号： | H01L21/765;H01L21/316;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;陈宇萱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件能够形成其大小接近设计大小的元件区域，抑制类似于栅极致漏极泄漏的现象，并且进一步抑制由于导电膜的氧化而施加至元件区域的压应力。沟槽形成在半导体衬底的主表面中。通过氧化每个沟槽的壁表面，第一氧化物膜形成在壁表面上。形成嵌入的导电膜以嵌入在沟槽中。嵌入的导电膜在包含活性氧化物质的气氛中被氧化，从而形成第二氧化物膜。第三氧化物膜通过CVD或涂敷方法形成在第二氧化物膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在半导体衬底的主表面中生成沟槽；氧化所述沟槽的壁表面，从而在所述壁表面上形成第一氧化物膜；形成嵌入的导电膜，从而使其嵌入在所述沟槽中，所述沟槽的壁表面被所述第一氧化物膜所覆盖；在包含活性氧化物质的气氛中氧化所述嵌入的导电膜，从而形成第二氧化物膜；在所述第二氧化物膜上方形成第三氧化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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