[发明专利]掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 200910151678.9 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101705518A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 苏良碧;徐军;李红军;周朋;喻军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B33/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用，属于光学晶体领域。本发明的掺Bi碱土硼酸盐晶体中，碱土金属为Ca、Sr、Ba；Bi离子掺杂浓度为0.1at％～6.0at％。本发明还进一步公开了掺Bi碱土硼酸盐晶体的制备与应用。本发明的掺Bi碱土硼酸盐晶体在近红外区域具有非常宽的发射光谱，可应用于波长可调谐或超短脉冲激光器。 | ||
| 搜索关键词： | bi 碱土 硼酸盐 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种掺Bi碱土硼酸盐晶体，所述掺Bi碱土硼酸盐晶体中的碱土金属为Ca或Sr或Ba，Bi离子掺杂浓度为0.1at％～6.0at％。
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