[发明专利]氧化亚锡多晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200910152532.6 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102021519A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 曹鸿涛;梁凌燕;刘志敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/08;C23C14/58;H01L21/203;H01L21/324 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化亚锡多晶薄膜的制备方法。本发明利用氧化锡(SnO2)蒸发料和电子束蒸发设备，先低温制备SnOx(1＜x＜2)非晶薄膜，再经高温真空退火处理，获得SnO多晶薄膜。本发明制备工艺简单可控，可在石英玻璃等衬底上大面积均匀成膜，且成膜重复性好。氧化亚锡为p型导电氧化物，可用于制备氧化物基光电子及电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：使用电子束轰击SnO2蒸发料，使得SnO2蒸发；将蒸发物沉积在衬底上，形成SnOx薄膜，其中1＜x＜2；在真空环境中对所述SnOx薄膜进行退火处理，形成SnO多晶薄膜。
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