[发明专利]一种近红外反射透明导电薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910152875.2 申请日: 2009-09-18
公开(公告)号: CN101661811A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 吕建国;别勋;叶志镇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00;B32B15/01;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的近红外反射透明导电薄膜是由交替沉积在衬底上的金属Cu层和AZO层构成的多层薄膜。采用直流磁控溅射法制备,方法简单,易操作,有利于工业化。制备的近红外反射透明导电薄膜具有高电导可见光高透明红外高反射的特点,电子载流子浓度在6.0×1021cm-3以上,可见光区的平均透过率大于70%,近红外平均反射率大于60%,已达到近红外反射膜的技术要求。薄膜的电阻率不高于3×10-4Ω·cm。该近红外反射透明导电薄膜在遮阳型红外反射结构以及光电器件中有广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 红外 反射 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种近红外反射透明导电薄膜,其特征是由交替沉积在衬底(1)上的金属Cu层(2)和AZO层(3)构成的多层薄膜。
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