[发明专利]半导体晶粒点测机台检验方法及该机台无效
申请号: | 200910157562.6 | 申请日: | 2009-07-14 |
公开(公告)号: | CN101958263A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 陶坚强;陈正雄;刘衍庆 | 申请(专利权)人: | 致茂电子(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00;H01L33/00 |
代理公司: | 北京明和龙知识产权代理有限公司 11281 | 代理人: | 郁玉成 |
地址: | 215011 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是关于半导体晶粒点测机台检验方法及该机台,其中点测机台利用一组点测装置导电接触受测晶粒,先后对受测晶粒施予一个小电流测试讯号及大电流测试讯号,再接收由受测晶粒返回的电流-电压资料,比较检得资料与已知标准资料之间的偏差值是否超出正常范围,直至累积超常偏差次数过多,确认机台处于异常状态后,停止晶粒检测并进行机台检修。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶粒 机台 检验 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体晶粒点测机台检验方法,其中该机台包括一组用以承载上述半导体晶粒的承载搬移装置;一组包括具有供电气接触该待测电路元件的金属探针的压力导接组件、并输出上述半导体晶粒受测讯号的点测装置;及一组储存有上述半导体晶粒的标准电流‑电压资料、电气连结该压力导接组件、供经过该金属探针而供应预定致能讯号至上述待测半导体晶粒、并供接收来自该点测装置输出讯号的处理装置,该检验方法包括下列步骤:a)当上述半导体晶粒之一恰受该金属探针导电接触时,以远低于该致能讯号的微小测试讯号提供给该受接触半导体晶粒并接收来自该点测装置的第一输出讯号;b)比较该第一输出讯号的电流‑电压与该标准电流‑电压资料间的偏差;c)更换受接触半导体晶粒,并重复上述步骤a)至b);d)当累计偏差达一个预定数值的次数达一个预定门槛时,发出警示。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于致茂电子(苏州)有限公司,未经致茂电子(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910157562.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造