[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括形成于半导体基板上的栅极。在栅极的第一侧形成第一接面区域，并且在栅极的第二侧形成第二接面区域。在栅极上形成与第一接面区域电连接的位线。第一金属插塞形成为与第二接面区域电连接。在第一接面区域与位线之间设置位线触点插塞，并且该位线触点插塞将第一接面区域与位线电连接在一起。在第一金属插塞上形成第二金属插塞并且该第二金属插塞与第一金属插塞电连接。利用金属插塞将核心或外围区域中的栅极的接面区域与金属线连接在一起，从而使得形成于核心和外围区域中的位线的图案可以类似于形成于存储晶胞区域中的图案。

主权项

一种半导体器件，包括：栅极，其形成于半导体基板上；形成于所述栅极的第一侧的第一接面区域和形成于所述栅极的第二侧的第二接面区域；位线，其形成于所述栅极上方并与所述第一接面区域电连接；第一金属插塞，其形成为与所述第二接面区域电连接；位线触点插塞，其设置在所述第一接面区域与所述位线之间并且使所述第一接面区域与所述位线电连接；以及第二金属插塞，其位于所述第一金属插塞上方并且与所述第一金属插塞电连接。