[发明专利]非原位组件恢复无效
申请号: | 200910158966.7 | 申请日: | 2009-07-10 |
公开(公告)号: | CN101635254A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 达尔文·恩尼克斯 | 申请(专利权)人: | 爱特梅尔公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文中揭示用于非原位组件恢复的装置、方法及系统。可通过在恢复系统中而不是在处理系统本身中对所述处理系统的组件进行解吸附或除气来执行所述非原位恢复。所述恢复系统可包含坞站及/或加热式真空室。可使用所述加热式真空室来对将被安置于所述处理系统内部的组件进行解吸附或除气,同时可使用所述坞站来对将被连接到所述处理系统的组件进行解吸附或除气。可由所述恢复系统将所述处理系统组件置于压力下以对污染物进行解吸附或除气并去除虚漏。所述恢复系统压力可包含真空粗抽泵、涡轮分子泵及/或低温泵以施加对所述组件进行解吸附或除气所必需的压力。 | ||
搜索关键词: | 原位 组件 恢复 | ||
【主权项】:
1、一种非原位恢复系统,其包括:组件室,其用以接纳处理系统的组件,所述组件室具有用以接纳吹扫气体源的第一吹扫气体入口;坞站,其用以接纳到所述处理系统的所述组件的连接,所述坞站具有用以接纳所述吹扫气体源的第二吹扫气体入口;及涡轮分子泵,其耦合到所述组件室及所述坞站以向所述组件室及所述坞站施加第一真空压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱特梅尔公司,未经爱特梅尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910158966.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有电磁干扰防护体的半导体封装件及其形成方法
- 下一篇:安全启动开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造