[发明专利]高压半导体元件之间的深沟槽结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压半导体元件之间的深沟槽结构及其制造方法，所述的深沟槽结构包括一半导体基底，多条相交的深沟槽隔离物设置于该半导体基底中，定义出多个高压半导体元件区域，以及一岛状物设置于两条深沟槽隔离物的交截中心处，其中该两条相交的深沟槽隔离物具有钝角的斜边。本发明实施例使钝角的斜边与岛状结构的斜边间的距离小于深沟槽的宽度，避免在沉积隔离材料于深沟槽中时留下孔隙，有效地提升了工艺裕度；两条相交的深沟槽具有钝角的斜边，可有效地降低高压半导体元件区域的机械性与电性应力；通过将岛状物电性接地，可提升高压半导体元件的电性效能。

主权项

一种高压半导体元件之间的深沟槽结构，其特征在于，所述的深沟槽结构包括：一半导体基底；一多条相交的深沟槽隔离物设置于所述半导体基底中，定义出多个高压半导体元件区域；以及一岛状物设置于两条深沟槽隔离物的交截中心处；其中所述两条相交的深沟槽隔离物具有钝角的斜边。