[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200910159707.6 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101626018A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 加藤伸二郎;小山内润 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 朱海煜;王丹昕 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种半导体器件(100),其中,用于对于其特别需要精确性并且应当被避免接收来自构成所述半导体器件(100)的元件之中的封装件的应力的元件的元件区(3)被缓冲区(8)围绕用于松弛应力,从而抑制封装过程中所产生的拉应力或压应力的影响,由此减小封装过程之前和之后的特性变化。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体衬底;元件区,其被避免接收应力,并且设置在大致上所述半导体衬底的中央;缓冲区,设置在所述元件区周围,并且包括沟槽和填充所述沟槽的填充物;以及半导体元件形成区,设置在所述缓冲区周围,其中,所述沟槽的深度大于被避免接收应力的所述元件区的深度并且大于所述半导体元件形成区的深度,以及其中,所述填充物的杨氏模量低于所述半导体衬底的杨氏模量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的