[发明专利]制造半导体元件的方法与半导体元件有效
| 申请号： | 200910159771.4 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101661901A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 益冈有里;徐鹏富;黄焕宗;黄国泰;卡罗斯H·迪雅兹;侯永田 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8238;H01L21/283;H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体元件的方法与半导体元件。该方法提供一半导体基底，其具有一第一区与一第二区；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一第一盖层与一第二盖层于该高介电常数介电层上，该第一盖层覆盖该第一区而该第二盖层覆盖该第二区；形成一含硅层于该第一与第二盖层上；形成一金属层于该含硅层上；以及形成一第一栅极堆叠于该第一区上与一第二栅极堆叠于该第二区上。该第一栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第一盖层、该含硅层与该金属层，且该第二栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第二盖层、该含硅层与该金属层。本发明的半导体元件包括的临界电压、驱动电流、关电流的晶体管性能等具有较少的尺寸依赖度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体元件的方法，包括：提供一半导体基底，其具有一第一区与一第二区；形成一高介电常数介电层于该半导体基底上；形成一第一盖层与一第二盖层于该高介电常数介电层上，该第一盖层覆盖该第一区而该第二盖层覆盖该第二区；形成一含硅层于该第一与第二盖层上；形成一金属层于该含硅层上；以及形成一第一栅极堆叠于该第一区上与一第二栅极堆叠于该第二区上；其中该第一栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第一盖层、该含硅层与该金属层；其中该第二栅极堆叠包括该高介电常数介电层、该第二盖层、该含硅层与该金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
