[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910159892.9 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101645451A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L51/50;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件(1)，包括：具有入射光的光入射面(30b)和光电二极管部(30a)的半导体薄膜(30)；在光入射面(30b)的相反侧的半导体薄膜(30)的表面的上方设置的、具有凸面(62a)的中间层(62)；以及在凸面(62a)的表面上设置的、具有把光向光电二极管部(30a)的方向反射的凹面(70a)的凹面反射层(70)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有入射光的光入射面和光电二极管部的半导体薄膜；在上述光入射面的相反侧的上述半导体薄膜的表面的上方设置的、具有凸面的中间层；以及在上述凸面的表面上设置的、具有把上述光向上述光电二极管部的方向反射的凹面的凹面反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
