[发明专利]介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器有效
| 申请号： | 200910160105.2 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101607819A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 裴修祥;吴旻修;王伟宸 | 申请（专利权）人： | 苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;H01G4/30;H01G4/12 |
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| 地址： | 215011江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器。介电陶瓷组合物包括主成份、第一掺杂物、第二掺杂物及玻璃质成份。主成份由(BaxSryCa1-x-y)m(TizZr1-z)O3组成，其中0＜x＜0.6，0.1＜y＜0.7，0.03＜z＜0.1且0.8＜m＜1.2。第一掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003～0.075之间，且第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物。第二掺杂物与主成份的摩尔比例值介于0.003～0.03之间，且第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物。玻璃质成份与主成份的摩尔比例值介于0.002～0.02之间。此介电陶瓷组合物可在1150℃～1300℃完成烧结致密化。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 组合 及其 制成 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种介电陶瓷组合物，其特征在于该介电陶瓷组合物包括：主成份，其组成如下：(BaxSryCa1-x-y)m(TizZr1-z)O3，其中0＜x＜0.6，0.1＜y＜0.7，0.03＜z＜0.1且0.8＜m＜1.2；第一掺杂物，该第一掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003～0.075之间，该第一掺杂物为锰、铬、钒或铁的氧化物；第二掺杂物，该第二掺杂物与该主成份的摩尔比例值介于0.003～0.03之间，该第二掺杂物为钇、铽、镝、钬、铒、铥或镱的氧化物；以及玻璃质成份，该玻璃质成份与该主成份的摩尔比例值介于0.002～0.02之间，且该玻璃质成份择自Ma2O、MbO、Mc2O3及MdO2所组成的群组，其中元素Ma是选自锂、钠及钾所组成的群组，元素Mb是选自铍、镁、钙、锶及钡所组成的群组，元素Mc是选自硼、铝及镓所组成的群组，元素Md是选自硅及锗所组成的群组。
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