[发明专利]存储器元件有效
| 申请号： | 200910160321.7 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101740572A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;江国诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/52;H01L23/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种动态随机存取存储器(DRAM)元件，其具有金属-绝缘层-金属电容，此电容经由金属桥电性连接至PN结二极管，用以保护后段工艺(BEOL)中等离子体工艺所造成的电荷伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，包括：一基材，其具有一存储器元件区域与一保护元件区域；一电容，形成于该存储器元件区域的基材上，其中该电容包括一下电极、一电容介电层以及一上电极，且该上电极具有一第一区域延伸至该保护元件区域；一二极管，形成于该保护元件区域的基材中；一接触插塞，形成于该保护元件区域的基材上，且电性连接至该二极管；一介层插塞，形成于该保护元件区域的基材上，且电性连接至该上电极的第一区域；以及一导线，形成于该接触插塞与该介层插塞之上。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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